本发明公开了一种CoCrPt-氧化物磁记录靶材、薄膜及其制备方法，该CoCrPt-氧化物靶材包括SiO2，TiO2，CrO，Cr2O3，Ta2O3，W2O3，Al2O3，Y2O3等氧化物中的一种或几种，其中氧化物相的平均晶粒尺寸在3～20μm。合金靶材中Co、Cr、Pt形成α-Co及ε-Co两相Co基固溶体，其中以低温相六方ε-Co固溶体为主，靶材的厚度在2～6mm之间，靶材的透磁率(PTF)值40％～60％之间。由该合金靶材制得的磁记录介质的磁记录层呈(002)晶面的择优取向生长，在X衍射分析中，用式(1)表示的(002)晶面的X射线衍射峰强度比：………………………式(1)为70％～90％。本发明的溅射靶，有害杂质元素含量低，晶粒尺寸细小均匀，化学成份均匀且偏离名义成分较小。使用上述溅射靶材制备的磁记录介质，该磁记录介质晶粒细小均匀、非磁性晶界明显，磁学性能优良。
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来源：北方有色网
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