本发明公开了一种高阶
芯片反向去层方法，所述的高阶芯片为45nm芯片，其特征在于，所述的高阶芯片包括基板以及自下而上制备于所述基板上的金属层，所述的金属层包括第一层金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层，采用干法蚀刻方法自上而下依次蚀刻所述第八金属层、第七金属层、第六金属层、第五金属层、第四金属层、第三金属层、第二金属层和第一金属层。通过上述，本发明采用干法刻蚀可避免芯片接触化学溶液，不会造成芯片的金属层大面积击穿，保留金属层的完整，可以保证上层金属去除后能完整的保留下一层整层的金属且两层金属间的金属线可以清楚呈现，可以有利于后期电路分析。
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来源：北方有色网
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