本发明提供一种半导体栅极版图及其修正方法、半导体结构形成方法，所述半导体栅极版图修正方法，包括：提供包括若干栅极图形的半导体栅极版图，所述半导体栅极版图包括第一区块和第二区块，所述第一区块对应于晶体管形成区，所述第二区块对应于二极管形成区；对第一区块进行检测，若在预定面积的区域内栅极图形总面积小于标准面积，则在所述预定面积的区域内、对应第一浅沟槽隔离区的位置添加第一伪栅极图形；对第二区块进行检测，若在预定面积的区域内栅极图形总面积小于标准面积，则在所述预定面积的区域内、对应极区的位置添加第二伪栅极图形。能够改善化学机械抛光的工艺可靠性和均匀度，保持二极管集成度，降低
芯片成本。
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“半导体栅极版图及其修正方法、半导体结构形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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