本发明公开了一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，涉及半导体压电光电子学技术领域。本发明通过金属有机化学气相沉积方法制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片，通过
电化学腐蚀方法把InGaN/GaN异质结薄膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再通过物理转移办法将InGaN/GaN异质结薄膜转移到柔性衬底PET上，最后通过搜集光致发光光谱的检测方法证明了通过手动3D位移平台对InGaN/GaN异质薄膜施加的应力确实改善了薄膜内部的极化。应用本发明，不仅解决了InGaN/GaN多量子阱中极化所导致的载流子复合效率降低的问题，还具有制造工艺简单且调制效果较好。
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来源：北方有色网
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