本发明涉及分析化学材料制备技术领域，具体涉及L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法。一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法，将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形，依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10min；采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜。将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中，12h后取出，并在烘箱中放置1h，制得纳米多孔金膜电极。将纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/LL-半胱氨酸水溶液中，在4℃冰箱中保存约2h后取出，冲洗干净并用高纯氮气吹干，即制得L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。本发明采用
电化学沉积金银合金及去合金化法在ITO电极表面制备了纳米孔金膜，电极制备方法简单，孔膜结构及表面积可由电沉积条件调控。
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