本发明属于薄膜材料技术领域，涉及碳基薄膜材料技术领域，具体涉及一种Al纳米晶掺杂四面体非晶碳导电薄膜及其制备方法和应用。本发明的Al纳米晶掺杂ta‑C导电薄膜为Al纳米晶镶嵌的四面体非晶碳母相结构，由Al金属过渡层、Al梯度含量掺杂ta‑C中间层和Al掺杂的ta‑C层组成，薄膜中的Al掺杂含量为14.0at.％～39.6at.％；所述薄膜采用磁过滤电弧及磁控溅射复合沉积技术在金属基底上沉积得到。本发明的Al纳米晶掺杂ta‑C薄膜具有高sp3碳‑碳键含量、低残余内应力、高化学稳定性和高导电性，可应用于燃料电池金属双极板、
电化学有机
污水处理薄膜电极和电化学重金属离子检测薄膜电极等领域。
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“Al纳米晶掺杂四面体非晶碳导电薄膜及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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