本发明公开了一种栅极的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成栅介质层和
多晶硅栅；步骤二、在多晶硅栅表面中注入终点检测杂质；步骤三、进行光刻刻蚀形成栅极；步骤四、在各栅极侧面形成侧墙；步骤五、形成由氮化层组成的接触孔刻蚀停止层；步骤六、形成由氧化层组成的层间膜；步骤七、采用化学机械研磨工艺进行第一次平坦化并停止在氮化层材料上；步骤八、采用第一次等离子体刻蚀工艺进行第二次平坦化，第一次等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点采用检测终点检测杂质实现的终点检测方式确定；步骤九、采用第二次等离子体刻蚀工艺对多晶硅栅进行去除并采用定时方式确定刻蚀终点。本发明能提高多晶硅栅去除的可靠性并进而提高器件的可靠性。
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来源：北方有色网
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