公开了电容器结构及其形成方法以及半导体装置及其制造方法。所述电容器结构可以包括位于基底上的下电极、位于基底上的介电层以及位于介电层上的上电极。下电极可以包括具有化学式M
1N
y(M
1是第一金属，y是正实数)的金属氮化物。介电层可以包括金属氧化物和氮(N)，金属氧化物具有化学式M
2O
x(M
2是第二金属，x是正实数)。介电层中的氮(N)的检测量的最大值可以比下电极中的氮(N)的检测量的最大值大。
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来源：北方有色网
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