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光学开关元件及其制造方法

786   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 07:33:28
利用化学气相沉积方法(CVD方法)形成下包层、核心和上包层。至少调整氮氧化硅的氧的添加量,氮的添加量和硅的添加量之一,以便核心具有高于包层的所需折射率。此外,形成终点检测器,在刻模形成核心的过程中,所述终点检测器变成干蚀刻的蚀刻限位器。
声明:
“光学开关元件及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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