本发明公开了一种利用高温回转炉生长高质量拓扑半金属InBi单晶的方法，块体是In、Bi元素以1:1化学计量比形成的化合物，是具有第二类狄拉克点的拓扑半金属材料，通过低场磁输运测试，块体单晶具有大的载流子浓度1018cm‑3和高迁移率，14T未饱和磁阻MR的值到达12000％，低温1.5K、高场60T出项明显振荡；同时角分辨光电子能谱(ARPES)和X射线衍射光谱仪(XRD)的表征，证明了其很高的质量，ARPES分析在ΓXΓ和MXM方向上发现2条nodal‑line。制备方法是高温融合后，以1℃/min的速率缓慢降温至室温结晶形成大块单晶，所获得的单晶表征ARPES和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的块体，同时材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。
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来源：北方有色网
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