一种用于MRAM的磁性半金属材料的阻尼调控方法，采用分子束外延的生长方法在MgO衬底上生长变Al成分即偏化学计量比的Co
2FeAl
1+x单晶薄膜。x大于0.03，小于1。整个过程中，单晶薄膜的化学计量比是由元素Co、Fe、Al束源炉的温度控制蒸发量；且整个单晶薄膜生长过程由RHEED实时监控；偏化学计量比的定量分析来自于STEM的元素扩散的面积积分图；同时，还补充不同成分的Al元素，以确定最低阻尼的化学计量比。根据校准的结果，我们改变生长方法，使用偏化学计量比的生长方法，即补充Al的生长。最后使用Tr‑MOKE进行磁性动力学测量。发现补充10％的Al元素可以有效的降低Co
2FeAl的本征阻尼。
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来源：北方有色网
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