本发明公开了一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路，其传感器的前驱体采用化学方法制备的三氧化钨
纳米材料，然后在表面上修饰氧化
铜纳米颗粒的复合结构。气敏元件采用旁热式结构，该器件在55℃时，其灵敏度为105，并具有很好的选择性。通过单脉冲调制电压，响应恢复时间可以控制在65秒以内。本发明的传感器具有高灵密度、高选择性、并在低温下实现快速的响应、恢复。
声明：
“硫化氢气体的半导体传感器及测试电路” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1144
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
