本发明提供了一种SnSe
2/H‑TiO
2异质结光电探测器件，包括H‑TiO
2纳米管阵列层和覆盖于H‑TiO
2纳米管阵列层上的SnSe
2纳米层。还提供了上述SnSe
2/H‑TiO
2异质结光电探测器件制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备不定型TiO
x纳米管阵列；(2)将不定型TiO
x纳米管阵列进行退火处理，得到TiO
2纳米管阵列；(3)以硒粉与SnCl
4·5H
2O为原料，用化学气相沉积方法，在TiO
2纳米管阵列表面沉积SnSe
2纳米层，沉积SnSe
2纳米层时同时通入氢气，将TiO
2氢化为H‑TiO
2，即得到SnSe
2/H‑TiO
2异质结。本发明方法制备的SnSe
2/H‑TiO
2异质结光电器件材料具有较高的光电响应性能并且扩大了器件的探测范围，且该制备方法简单、成本低、反应条件容易控制。
声明：
“SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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