本发明提供了一种铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器。该铋硒硫半导体为晶体，铋硒硫半导体的化学结构式为BixSeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3，且3x＝2y+2z。上述的铋硒硫半导体中，Bi2Se3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Se3中，生长出BixSeySz半导体。相比Bi2Se3半导体，BixSeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。
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来源：北方有色网
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