本发明公开一种基于层状
钴氧化物的低温测温元件，包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ，薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长，在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ，金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端，金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ通过导线Ⅱ连接电压表输入端，薄膜热敏元件为层状钴氧化物薄膜；本发明测温元件在0℃~‑200℃下电阻温度系数大，电阻温度关系线性好，物理化学性能稳定、成本低廉。
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“基于层状钴氧化物的低温测温元件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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