本发明提供一种集成硅光调制器和锗硅探测器的硅光集成
芯片及制备方法，利用刻蚀工艺形成的凹槽来定义氮化硅波导的位置和尺寸，之后通过化学机械抛光将多余的氮化硅移除，凹槽内的氮化硅形成光波导，因此本发明氮化硅波导的制备能够与包含硅光调制器和锗硅探测器的硅光集成芯片制作工艺相兼容，并且可以灵活控制氮化硅波导和硅波导之间的距离，从而实现硅波导与氮化硅波导之间可控的耦合强度和耦合损耗；利用底层的硅波导和上层的氮化硅波导，可以组合设计多种性能更好的无源器件，比如更低耦合损耗的耦合器、更低传输损耗的波导等等。
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“集成硅光调制器和锗硅探测器的硅光集成芯片及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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