本发明涉及探测器的技术领域，更具体地，涉及一种三台面p-π-n结构III族氮化物半导体雪崩光电探测器及其制备方法。一种三台面p-π-n结构III族氮化物半导体雪崩光电探测器，其中，包括衬底，利用外延生长法，如分子束外延或金属有机化学气相沉积外延法，依次生长在衬底上的缓冲层，n型掺杂氮化物欧姆电极接触层，π型氮化物有源层，p型掺杂氮化物层，重掺杂p型氮化物欧姆接触层，制作在n型层上的n型欧姆接触电极，制作于p型层上的p型欧姆接触电极。本发明可改善传统p-i-n结构器件漏电流较大以及容易发生边缘提前击穿的问题，而且三台面结构对p-π-n结构器件的强弱电场区的边缘电场实施了双抑制保护，有效防止结边缘电场的提前击穿。
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来源：北方有色网
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