本发明公开了一种可用于深紫外极弱光探测的高纯纳米结构ZnGa
2O
4的制备方法。ZnGa
2O
4带隙宽度为4.4‑4.7eV，具有优异的热学和化学稳定性、较高的电子迁移率，能承受较高电流冲击，可用于深紫外光电探测器、发光二极管、低电压发光。本发明采用液相激光烧蚀和溶剂热法相结合的方式，通过在液体介质中激光烧蚀高纯
锌靶和氧化镓靶，获得高活性溶剂热前驱体，经过溶剂热法合成高纯纳米结构ZnGa
2O
4。本发明所采用方法与现有ZnGa
2O
4纳米材料制备方法相比，具有产物高纯度、单一相结构、结晶性良好、尺寸均一、形貌可控、制备简单、实验环境温和、反应时间短等优点；制备的ZnGa
2O
4纳米材料可用于组装成深紫外光电探测器，并可实现对极弱光高灵敏、快响应、耐高压探测。
声明：
“可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa2O4的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
962
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
