本发明涉及一种基于图形化铁电畴的
石墨烯太赫兹波可调谐探测器，包括基底：如半导体硅(Si)或氧化物钛酸锶(STO)、底电极：如镧锶
锰氧(LSMO)、铁电材料：如铁酸铋(BFO)或掺铪的氧化锆(HfZrO)、以及上层的二维材料：如石墨烯。发明提出的光电探测器，利用铁电材料不同的极化方向引起二维材料
电化学势的差异，通过设计铁电畴的形状，改变铁电畴的大小，利用表面等离子共振效应，得到了一种能对光电探测器吸收波段进行调控的、大面积的二维材料的光电探测器的结构。本发明的光电探测器具有结构简单、便于集成、可在室温下工作的优点，并且还可以通过在纳米尺度下简易且精确的改变铁电畴从而对传感器的响应波段进行调控。本发明提供的光电探测器可用于中远红外以及太赫兹波段。
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“基于图形化铁电畴的石墨烯太赫兹波可调谐探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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