本发明公开了一种用于紫外光电探测器的MgZnO纳米线阵列的制备方法，包括：采用双温区化学气相沉积管式炉，低温区为镁源，温度为500‑900℃；高温区为
锌源，温度为850‑1100℃，锌源为
氧化锌和碳粉的混合物；调整双温区化学气相沉积管式炉的升温速率为10℃/min，通入纯度为99.99％的氮气和纯度为99.99％的氧气的混合载气，当低温区、高温区达到各自的温度后，保温20‑30min，关断混合载气，然后抽真空、自然冷却到室温，得到MgZnO纳米线阵列。本发明通过用双温区气相沉积法制备纳米线，不需要提前制备种子层，完全是无催化剂条件，在20‑30min内即可制备成功，实现了纳米线在无催化条件下的快速自生长，耗时短，操作简单。
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“用于紫外光电探测器的MgZnO纳米线阵列的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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