本发明提供一种锗基探测器的集成方法，包括以下步骤：提供第一衬底，在第一衬底上形成氮化硅波导结构；提供第二衬底，在第二衬底上外延锗以形成锗薄膜层，在锗薄膜层上继续外延锗以形成锗基外延层，并化学机械抛光；在锗基外延层上沉积高k金属氧化物以形成高k金属氧化物层；将第二衬底的高k金属氧化物层与第一衬底键合；减薄第二衬底至第一厚度，腐蚀掉第一厚度的第二衬底；化学机械抛光以去除锗薄膜层；在锗基外延层上制备形成锗基探测器。本发明因为去除了低质量的锗薄膜层，因此提高了后续形成的光电器件的性能。
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来源：北方有色网
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