本发明涉及一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，借助
电化学工作站三电极体系，通过将半导体纳米晶分散在溶剂中然后滴覆在工作电极(6)表面形成薄膜，在惰性气体保护下对半导体纳米晶的电化学性能进行测试，并提取纳米晶发生氧化还原反应起始位置的电势值，进而计算半导体纳米晶的LUMO值、HOMO值以及禁带宽度值，实现半导体纳米晶能带结构的准确测定，所得测试结果与吸收光谱法比较偏差小。本发明所提供的方法中的滴覆方式使半导体纳米晶在工作电极表面形成薄膜，减少了实验用料；并通过惰性气体的保护，避免了半导体纳米晶的不稳定，可以实现多种半导体纳米晶的能带结构测定。
声明：
“利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
836
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
