本发明是一种磁性半导体载流子迁移率的测定方法,主要解决磁性
半导体材料中由于异常霍尔效应的存在,测定非磁性半导体载流子浓度和迁移率普遍使用的霍尔效应测量迁移率方法对其不再适用。据查文献资料,目前没有可靠测量磁性半导体载流子迁移率的方法。本发明提出将
电化学C-V方法和范德堡方法(不需加磁场)相结合,用电化学C-V方法测定磁性半导体载流子浓度,用范德堡方法测定电阻率,然后根据载流子浓度、电阻率与载流子迁移率之间的关系,确定磁性半导体的载流子迁移率。本方法不涉及霍尔测量,避开了异常霍尔效应的影响,具有不需要特制设备、操作方便及测量准确等特点。
声明：
“测定磁性半导体载流子迁移率的新方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
732
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
