本发明涉及一种微条气体室探测器基板的制造方法,它是采用热丝化学气相沉积法由硅基片上沉积CVD金刚石膜而制成。先对n型(100)单晶硅基片预处理,然后放入热丝化学气相沉积装置的真空反应室中充入反应气体乙醇和氢气,经氢等离子体清洗、碳化、偏压增强成核、生长四个过程制得基板毛胚,再经激光法抛光和清洁处理而制得。本发明通过控制金刚石晶粒的择优生长和采用激光抛光法两种途径获得高质量、低表面粗糙度的金刚石薄膜基板,可克服目前探测器电荷积累效应大和基板不稳定性,是一种理想的微条气体室探测器基板。本发明制作工艺简单、成本低廉、实用性强和无毒无害。
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来源：北方有色网
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