本发明公开了一种膜厚度的检测方法，包括步骤：1）在硅衬底上，淀积一层阻挡层，并量测阻挡层厚度；2）在阻挡层表面淀积一层待测厚度的膜；3）在待测厚度的膜表面淀积光刻胶，然后，对光刻胶进行图形化，并且刻蚀待测厚度的膜至阻挡层，形成沟槽；4）淀积绝缘层以填充沟槽；5）利用化学机械研磨进行绝缘层平坦化，量测沟槽中的绝缘层厚度，即为步骤2）的膜厚度。本发明的方法使用快速简便，准确度高，测试范围广，同时，可以达到器件性能调整、标准片制备以及腔体中心化的目的。
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来源：北方有色网
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