本发明提供了一种金纳米刺拉曼增强检测
芯片的制备方法，其包括：准备表面干净的芯片基底；采用离子溅射的方法在芯片基底的表面喷镀一层铂颗粒；在芯片基底上滴加硝酸银溶液和氯金酸溶液，再滴加双氧水进行还原；步骤S3的反应完成后，采用去离子进行冲洗芯片，即得到金纳米刺拉曼增强检测芯片。采用本发明的技术方案，利用离子溅射和原位化学生长制备出金纳米刺拉曼增强检测芯片，方法简单，制备周期短，无表面活性剂的影响；使用的设备简单，操作方便，可以大批量制备SERS芯片，而且可以在任意基底上制备金纳米刺，可以广泛应用于生物传感、物质痕量检测等领域。
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“金纳米刺拉曼增强检测芯片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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