本发明公开了一种单层二硫化钼的化学气相沉积制备方法及其在薄膜晶体管中的应用；本发明以三氧化钼和硫单质作为反应物，在三氧化钼中加入氢氧化钠，生长得到了质量更好的单层MoS2，晶畴大于100μm，且不局限于一种或者几种衬底材料，在多种单晶和多晶衬底材料上均可稳定生长，本发明还将制备出的单层MoS2应用于薄膜场效应晶体管中，并对薄膜晶体管进行电学测试，获得转移特性曲线，计算出迁移率达121cm2V‑1s‑1，证明该方法制备出的单层MoS2符合半导体器件的应用需求。
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来源：北方有色网
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