本发明提供了一种锗的化学机械抛光方法，该方法包括以下步骤：a.提供待抛光的晶圆，该晶圆具有生长完成的锗沟槽，锗沟槽之间为测量隔离区；b.确认锗沟槽与测量隔离区齐平的最低图形密度ρ；c.在晶圆上图形密度小于等于ρ的锗沟槽上涂覆光刻胶；d.对未被光刻胶覆盖的区域进行离子注入处理；e.去除光刻胶；f.对所述晶圆进行化学机械抛光。本发明在完成外延生长单晶Ge沟槽后，选择性的对高密度图形区的凸起Ge沟道进行离子注入，然后再进行Ge的CMP，提高CMP过程中对高密度去凸出部分的材料移除速率。这样可以避免因图形密度不同而造成Ge材料移除速率的差异，从而改善Ge沟道CMP后的局部均匀性。
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来源：北方有色网
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