本发明属于材料科学技术领域，具体为一种基于等离子体化学增强气相沉积直接合成大面积氧化
石墨烯的方法。本发明具体步骤包括：对衬底进行预处理；利用等离子体增强化学气相沉积系统在衬底上生长氧化石墨烯；生长结束后将氧化石墨烯取出；合成的关键之处在于氧原子的引入与控制。本发明方法反应时间短，反应温度低，且氧化石墨烯的含氧量可控。与现有的化学法合成的氧化石墨烯相比，本方法合成的氧化石墨烯具有尺寸大，均匀性好的特点，可用在气体探测、光电器件等领域。
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“基于等离子体化学增强气相沉积直接合成大面积氧化石墨烯的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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