一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法，尤其适用于MOCVD反应室。装置包括：位于腔室内的加热器；位于腔室内加热器附近且与加热器相间隔开的托盘，用于承载基底；第一温度控制单元，与承载基底的托盘表面耦接，用于测量该托盘表面温度，基于设定温度和托盘表面温度输出第一控制信号；第二温度控制单元，与第一温度控制单元相连，用于测量托盘和加热器之间区域的中间温度，还用于根据第一控制信号和中间温度输出第二控制信号；加热器，与第二温度控制单元耦接，用于根据第二控制信号进行加热。相应地，本发明还提供一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的方法。本发明可以获得稳定的基底温度。
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来源：北方有色网
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