本发明揭露了一种半导体装置结构，其包含：单晶化合物
半导体材料层；以及多晶化学气相沉积钻石材料层，其中该多晶化学气相沉积钻石材料层经由厚度小于25nm、厚度变化不大于15nm的接合层与该单晶化合物半导体材料层接合，其中通过该单晶化合物半导体材料层与该多晶化学气相沉积钻石材料层之间的接口处的瞬态热反射所测量的有效热边界电阻(TBReff)小于25m2K/GW，在该半导体装置结构上测量的变化幅度不超过12m2K/GW，并且其中该单晶化合物半导体材料层具有以下特征之一或两者：电荷迁移率至少为1200cm2V‑1s‑1；以及片电阻不超过700□/平方。
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来源：北方有色网
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