提供一种用化学放大抗蚀剂对铟-
锡-氧化物(ITO)膜进行图形刻蚀时在抗蚀剂显影后即使暴露在白色光线下也不发生抗蚀剂剥离和密接性下降的ITO膜的图形刻蚀方法。在基板上首先形成非晶态ITO膜,直接涂敷负型化学放大抗蚀剂,进行照射、显影。所获得的在非晶态ITO膜上有抗蚀剂图形的结构即使暴露在白色光下,也不发生抗蚀剂剥离和密接性下降,所以不会对后面的工序产生不良影响,能进行充分的目视检查。关于目视检查中断定为正品的该结构,将抗蚀剂图形作为掩模,对非晶态ITO膜进行刻蚀,将抗蚀剂图形除去后,通过用ITO的结晶化温度以上的温度加热,能获得具备良好的耐药性及导电性的结晶化ITO图形。
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“使用化学放大抗蚀剂的透明导电膜的形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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