本发明提供了一种高密度培养两歧双歧杆菌的化学去胁迫法，包括以下步骤：a.配制两歧双歧杆菌的培养基；b.步骤(a)配制的培养基中添加抗氧化剂，并进行灭菌处理；c.接种；d.培养过程中继续补加抗氧化剂；e.培养结束后，采用平板计数法进行活菌计数。所述步骤(b)中的抗氧化剂为异抗坏血酸钠，所述步骤(d)中的抗氧化剂为抗坏血酸钠。本发明提供的化学去胁迫法能够提升两歧双歧杆菌的培养密度，提升益生菌的培养效率，节约生产空间和成本。
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“高密度培养两歧双杆菌的化学去胁迫法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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