本公开提供了一种基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法，包括：步骤A.版图读入；步骤B.CMP模拟，初步确定CMP局部缺陷产生条件；步骤C.根据步骤B进行CMP敏感区域的提取，并将多边形敏感区域分割；步骤D.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域外，建立一级网格；步骤E.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域和步骤D建立的一级网格间，建立二级网格；步骤F.等效参数提取。本公开能够准确地检测并处理CMP工艺中的局部不平坦性问题，能够更加准确的检测CMP工艺中的局部缺陷问题，并对检测到的缺陷进行处理，有效规避
芯片表面的局部区域的缺陷。
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来源：北方有色网
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