本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积 (CVD)装置, 包括 : 处理室; 为处理室供应处理气体的处理气体供 应管线; 废气排放管, 用于在处理后将处理室内的废气排放出去 清洗气体供应管线, 用于向处理室内供应ClF3气体; 取样歧管, 用于利用压力差从处理室内提取气体样品; 及QGA－QMS, 用于分析取样气样, 并利用上述RGA－QMS通过分析, 根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。
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来源：北方有色网
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