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高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器的制备方法

1227   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 06:56:04
本发明公开了一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器的制备方法,以地佐辛为模板分子、(5s,8s)-3-(4’-氯-3’-氟-4-丙烯基联苯-3-基)-4-羟基-8-甲氧基-1-氮杂螺[4.5]癸-3-烯-2-酮为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米氧化锆为掺杂剂,以松香为原料合成的马来松香丙烯酸乙二醇酯作为交联剂,据此制备了高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器,该分析方法简单实用,克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。
声明:
“高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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