本发明公开了一种具有集成噪声屏蔽物的装置。装置包括基本上包围半导体装置的多个垂直屏蔽结构。装置进一步包括位于半导体装置上方基本上充满导电流体的开口，其中，多个垂直屏蔽结构和导电流体屏蔽半导体装置免受环境辐射的影响。在一些实施例中，装置进一步包含位于半导体装置下方的导电底部屏蔽物，其屏蔽半导体装置免受环境辐射的影响。在一些实施例中，开口被配置为允许将生物样本引入至半导体装置中。在一些实施例中，垂直屏蔽结构包括多个通孔，其中，多个通孔中的每个把多于一个的导电层连接在一起。在一些实施例中，装置包括纳米孔装置，并且其中，纳米孔装置包括纳米孔阵列的单一单元。
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来源：北方有色网
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