本发明公开了一种金刚石纳米线阵列、制备方法及用于
电化学分析的电极。该制备方法包括：在金刚石薄膜的表面上设置掩模层，该掩模层的图形构成为覆盖待形成的各个金刚石纳米线的顶端，并暴露出相邻的金刚石纳米线之间的待刻蚀部分；采用ICP-RIE刻蚀工艺对具有掩模层的金刚石薄膜刻蚀，以去除待刻蚀部分，在金刚石薄膜中形成柱状的各个金刚石纳米线；去除位于各个金刚石纳米线的顶端的掩膜层的材料。本发明采用ICP-RIE刻蚀，由于增加了具有高的等离子体密度及刻蚀效率的电感耦合元件，可以分别控制等离子体的产生和加速，实现了刻蚀过程和形貌可控，进而得到了侧壁陡直性更好且深宽比更高的金刚石纳米线阵列。
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“金刚石纳米线阵列、其制备方法及用于电化学分析的电极” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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