本发明公开了MEMS
芯片领域的一种高性能Ti‑Co‑RE靶材及大吸气量薄膜吸气剂制备的方法，包括高性能Ti‑Co‑RE薄膜吸气剂靶材；所述高性能Ti‑Co‑RE薄膜吸气剂靶材的合金配方为：Ti
100‑x‑yCo
xRE
y，其成分范围为：15wt％≤x≤25wt％、5wt％≤y≤15wt％；将上述配方质量百分比配料后放入真空熔炼制备合金铸锭、对铸锭进行致密化处理、靶材尺寸加工，用其合金靶材，通过磁控溅射，在硅晶元基体样品上进行溅射，制备成吸气薄膜。本发明制备的吸气薄膜具有低的激活温度和良好的吸气性能。
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“一种高性能Ti-Co-RE靶材及大吸气量薄膜吸气剂制备的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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