本发明涉及一种纳米晶磁芯的横磁处理方法，包括以下步骤：S1、选用纳米晶带材，将其卷绕成规定的尺寸；S2、调节横磁炉的温度，设定横磁炉在25‑35min内从常温上升至495‑505℃；S3、当横磁炉温度达到495‑505℃时，将纳米晶磁芯推入横磁炉中；S4、关闭横磁炉并在其中通入惰性气体；S5、横磁炉运行控温程序，温度维持在495‑505℃之间25‑35min，同时施加横磁场处理；S6、待横磁炉的炉温冷却至340‑360℃时，关闭惰性气体和横磁电流。通过采用上述技术方案，可减少磁畴壁之间的摩擦，故此时磁芯的100K磁导率可到2.3万以上；同时，节省了保温时间，节约了成本。
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来源：北方有色网
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