本发明提供了一种基于硫化钨纳米片的阻变存储器及其制备方法，所述忆阻器的结构从下到上依次包括Pt衬底、在所述Pt衬底上形成的第一ZrO
2阻变层、在所述第一ZrO
2阻变层上形成的WS
2纳米片介质层、在所述WS
2纳米片介质层上形成的第二ZrO
2阻变层以及在所述第二ZrO
2阻变层上形成的Ag电极层。本发明提供的阻变存储器通过性能检测证明其具有良好的阻变特性，呈现出较为稳定的阻值变化，高电阻值和低电阻值之间相差较大，不容易造成误读，而且该WS
2纳米片阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异。
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“一种基于硫化钨纳米片的阻变存储器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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