本实用新型公开了一种能够避免尾排管爆炸的用于制备硅片表面
氧化铝膜的装置。该装置包括设置有炉门的真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，真空沉积室上设有进气口与排气口，进气口上连接有用于通入制程气体的导气管，排气口上连接有
真空泵，真空泵的出口连接有尾排管，通过尾排管上设置尾气处理装置，真空沉积室内反应完毕的废气在真空泵的作用下，尾气先经过气爆室与空气发生反应，再经过水爆室内与水发生反应，尾气再进入甲烷燃烧时将生成的甲烷燃烧殆尽后再进入尾排管，进入尾排管的尾气由于不含有三甲基铝也就不会发生爆炸，避免了尾排管经常发生爆炸的危险情况发生，其安全性大大提高。适合在
太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。
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“用于制备硅片表面氧化铝膜的装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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