本发明实施例公开了一种晶体硅清洗方法，该方法包括：将晶体硅置于纯水中进行超声或兆声加热预清洗；将晶体硅置于混合酸溶液中进行腐蚀；采用纯水对所述晶体硅进行冲洗；将所述晶体硅烘干。本发明所提供的晶体硅清洗方法，采用物理清洗和化学清洗相结合的方式对晶体硅进行清洗，能有效地去除晶体硅(尤其是回收料)表面的杂质和颗粒，而且可减少化学药液的用量，减小化学药液对人、设备及环境的危害，减轻化学药液对晶体硅的腐蚀损耗，减轻后续对废液的处理工作，从而可降低清洗成本。
声明：
“晶体硅清洗方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
883
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
