本发明公开了一种
多晶硅太阳能电池酸腐制绒用光刻胶的去除方法，其步骤为：硅片刻蚀后的有机光刻胶掩膜通过烧结炉在高温下将光刻胶掩膜烧掉，然后采用酸洗去除表面氧化层和残余有机杂质。本发明有机光刻胶掩膜的快速去除方法，是一种纯物理的光刻胶去除方法，相对于目前常用的有机光刻胶去除方法，无有机溶剂和酸碱溶剂污染，无废液排放，大大降低了化学溶剂的消耗以及后续污染处理，降低了生产过程中的危险性，还大大降低了成本，提高了生产效率。
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“多晶硅太阳能电池酸腐制绒用光刻胶的去除方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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