本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO
2薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
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“室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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