本发明涉及一种从烧结的SiC晶须粗料中获得 高品级SiC晶须产品的分离工艺，其特征在于经粉 碎的物料两次调浆后进行反
浮选，其
尾矿再进行旋流 器分离，或者采用正浮选处理，中矿采用旋流器组或 快速摇床处理，该工艺过程进行合理组合可用于易处 理和难处理物料的分离，分别得到高品级SiC-w产 品，其品级达97-98％，平均直径1.0，1.5和≥ 3.0μm，为高科技领域
复合材料提供优质增强剂，该 工艺分离效果好，节省药剂，设备互换性好，操作简 单。
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“获得高品级SiC晶须的分离工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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