本发明公开了稳定且高效去除在半导体污水废水处理厂和半导体工艺中排出的恶臭去除用离子催化剂及其制备方法。本发明的离子催化剂及其制备方法的特征在于，包括：步骤(a)，对多孔性载体和纳米二氧化硅溶胶进行混合，来在上述多孔性载体的表面形成纳米二氧化硅薄膜；步骤(b)，将形成纳米二氧化硅薄膜的多孔性载体与
氢氧化铝(Al(OH)
3)水溶液进行混合用于导入中间连接体催化剂；步骤(c)，将导入成功的催化剂与包含第一过渡金属和第二过渡金属前驱物的水溶液进行混合，来形成催化剂结合体；步骤(d)，在220～350℃的温度下，对上述催化剂结合体进行热处理之后，进行冷却，从而制备离子催化剂，在上述步骤(d)的离子催化剂的特征为：催化剂中形成有纳米二氧化硅‑铝(Al)‑第一过渡金属‑第二过渡金属。
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来源：北方有色网
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