本发明涉及
电化学领域，尤其是一种电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化
钴纳米片的方法。将经分散剂分散的钴盐于水热釜中150‑220℃下反应3～24h，反应后降至室温，将悬浊液离心获得沉淀，沉淀经有机溶剂反复洗涤，所得沉淀干燥再将其于碱性溶液的
电解液中，恒电流密度下电催化氧化即可得到单层多孔羟基
氧化钴纳米片。本发明具有反应条件温和、工艺流程简单、能耗低、可规模化生产等优点，所得产品具有孔径分布窄、孔隙率高、比表面积大、批次间重复性好等优势，有望在
锂离子电池、超级电容器以及电催化等领域得到广泛应用。
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“电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化钴纳米片的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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