本发明涉及一种利用金属氢化物直接还原制备多孔硅的方法,本发明所述的一种多孔硅的制备技术是以金属氢化物为还原剂将二氧化硅还原为多孔硅的技术，该技术可以在较低的温度下反应(最低可至350℃)生成高纯度的多孔硅，同时可以通过调控升温速率来控制多孔硅的比表面积和形貌。本发明提供了一种工艺简单、反应可控、产率高的制备多孔硅新方法；所用的二氧化硅原材料来源广泛，成本低，高效，绿色环保，易于工业化实施；本发明方法实现了多孔硅的可控制备，通过调整升温速率来控制气体的产生速率，从而达到调控多孔硅的形貌的目的。本发明提供的多孔硅材料可广泛应用于
锂离子电池、光致发光、太阳能、光催化、靶向载药和催化剂载体等诸多领域。
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来源：北方有色网
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