一种二硫化钼薄膜材料的制备方法，以MoS2靶材为原料，在氩气和硫化氢混合气体环境中，通过磁控溅射法在基底上制备MoS2薄膜，二硫化钼薄膜材料的厚度为0.1-10.0μm。本发明的优点是：通过在磁控溅射技术使用Ar气-H2S混合气和基底加热原位退火方式，可以保证MoS2薄膜实现均匀沉积并且S/Mo原子比保持在2∶1，增加溅射时间可以有效增加厚度，提高MoS2纳米薄膜产量；该方法简单快速，制备工艺简单，厚度可控，方法薄膜便于控制，为其在光电池、
锂电池、固体润滑剂和其他方面的广泛应用提供了可能。
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来源：北方有色网
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